Advanced Porous Graphite

Advanced Porous Graphite, ຕາມຊື່ແນະນໍາ, ແມ່ນປະເພດຂອງກາຟທີ່ປະກອບດ້ວຍ voids interlinked ຫຼື pores ໃນໂຄງສ້າງຂອງມັນ. ຂະຫນາດຂອງຮູຂຸມຂົນເຫຼົ່ານີ້ສາມາດແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ເຊິ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນລັກສະນະການປະຕິບັດຂອງວັດສະດຸ.

ລັກສະນະຂອງ Advanced Porous Graphite:

ພື້ນທີ່ຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະຄວາມສາມາດໃນການດູດຊຶມທີ່ເຂັ້ມແຂງ: ຫນຶ່ງໃນຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ໂດດເດັ່ນທີ່ສຸດຂອງ graphite porous ແມ່ນພື້ນທີ່ຫນ້າດິນຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງຕົນຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບ graphite ທີ່ບໍ່ມີ porous, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນ adsorbent ຫຼາຍ.

ການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ: Porous graphite ມີ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ແລະ​ໄຟ​ຟ້າ​ທີ່​ດີ​ເລີດ​. ຄຸນສົມບັດນີ້ມີຄວາມສໍາຄັນໂດຍສະເພາະໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຫຼືການນໍາໄຟຟ້າ.

ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ: ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂອງ graphite porous ແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບໂຄງສ້າງ pore ຂອງຕົນແລະຂະບວນການຜະລິດ. ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂອງ graphite porous ແມ່ນບໍ່ດີເທົ່າກັບ graphite ທີ່ບໍ່ມີ porous, ແຕ່ຄຸນສົມບັດກົນຈັກຂອງມັນແມ່ນຍັງດີເລີດ.

ຄວາມອິດເມື່ອຍທາງເຄມີ: ເປັນຜະລິດຕະພັນ graphite, graphite porous ແມ່ນ inert ເຄມີແລະສາມາດເຮັດວຽກໃນສະພາບແວດລ້ອມ corrosive. inertness ທາງເຄມີຊ່ວຍໃຫ້ graphite porous ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂະບວນການເຄມີທີ່ຕ້ອງການຄວາມຕ້ານທານກັບອາຊິດ, ຖານ, ແລະ solvents.

ການຜະລິດແລະການປັບແຕ່ງສູງ: ໂຄງສ້າງ pore ຂອງ graphite porous ສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງໃນຫຼາຍວິທີ. ເຕັກນິກເຊັ່ນ: ການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອບັນລຸຂະຫນາດ pore ແລະການແຜ່ກະຈາຍທີ່ຕ້ອງການໂດຍລູກຄ້າ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ Advanced Porous Graphite:

SiC ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ: ການສຶກສາໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າໃນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນຂອງ SiC, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ graphite porous ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຈໍານວນຂອງ microtubules ແລະຂໍ້ບົກພ່ອງອື່ນໆ, ແລະຫຼຸດຜ່ອນເນື້ອໃນຂອງອົງປະກອບ impurity ໃນໄປເຊຍກັນໄດ້, ດັ່ງນັ້ນ graphite porous ສາມາດນໍາເອົາການຊ່ວຍເຫຼືອທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ໃນການຜະລິດຂອງ. SIC ໄປເຊຍກັນ.

ການຜະລິດ wafer: ເນື່ອງຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, graphite porous ສາມາດໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ເພື່ອຜະລິດບັນທຸກ wafer ເຊັ່ນ: ເຮືອ graphite ແລະ chucks graphite. graphite porous ແມ່ນສາມາດເຮັດວຽກທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ, ຊ່ວຍໃຫ້ wafer ຮັກສາການແຜ່ກະຈາຍຂອງອຸນຫະພູມທີ່ເປັນເອກະພາບ, ດັ່ງນັ້ນການຮັບປະກັນຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການປຸງແຕ່ງ.

ການປ່ອຍອາຍສານເຄມີ (CVD) : Porous graphite ແມ່ນທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະ inert ເຄມີ, ສະນັ້ນມັນມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນ liner reactor ແລະ electrode ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຂະບວນການ CVD ເພື່ອສົ່ງເສີມການ deposition ຮູບເງົາຄຸນນະພາບສູງ.

ການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນ semiconductor: ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຂອງ graphite porous ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການແກ້ໄຂຄວາມຮ້ອນ dissipation ໃນອຸປະກອນ semiconductor. ມັນສາມາດຖືກສ້າງເປັນຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນຫຼືອຸປະກອນການໂຕ້ຕອບຄວາມຮ້ອນເພື່ອຊ່ວຍໃຫ້ການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນໄວແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກແລະຊີວິດຂອງອຸປະກອນ.

ຂະບວນການ etching ແລະ etching: ໃນຂະບວນການ etching ແຫ້ງຂອງການຜະລິດ semiconductor, graphite porous ສາມາດນໍາໃຊ້ເປັນອຸປະກອນການ electrode ຫຼື cathode, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະ conductivity ໄຟຟ້າຂອງມັນຊ່ວຍໃຫ້ທົນທານຕໍ່ການເຊາະເຈື່ອນຂອງ plasma corrosive, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງຂະບວນການ etching.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ: Porous graphite ໄດ້ຖືກຫລອມໂລຫະເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ສໍາລັບຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸແລະຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງ impurities.

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດ Advanced Porous Graphite ມືອາຊີບແລະຜູ້ສະຫນອງໃນປະເທດຈີນ, VeTek Semiconductor ຍັງສະຫນອງແນວພັນຂອງຜະລິດຕະພັນ graphite ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ເຊັ່ນ:TaC Coating Porous Graphite, Isotropic Graphite, Siliconized Graphite, ແຜ່ນ Graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, SiC Crystal Growth Porous Graphite, ແລະອື່ນໆ, ແລະສະຫນັບສະຫນູນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ກໍາຫນົດເອງແລະການແກ້ໄຂຜະລິດຕະພັນ. ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ ແລະຍິນດີຕ້ອນຮັບການໃຫ້ຄໍາປຶກສາຂອງທ່ານໄດ້ທຸກເວລາ.