- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
ຈີນ SiC Single Crystal Growth Process Spare Parts ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະໜອງ, ໂຮງງານ
ຜະລິດຕະພັນຂອງ VeTek Semiconductor, ຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ສໍາລັບ SiC Single Crystal Growth Process, ແກ້ໄຂສິ່ງທ້າທາຍທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການໂຕ້ຕອບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໄປເຊຍກັນ silicon carbide (SiC) ໂດຍສະເພາະຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ສົມບູນແບບທີ່ເກີດຂື້ນຢູ່ໃນຂອບຂອງ crystal. ໂດຍການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ TaC, ພວກເຮົາມີຈຸດປະສົງເພື່ອປັບປຸງຄຸນນະພາບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກແລະເພີ່ມພື້ນທີ່ທີ່ມີປະສິດທິພາບຂອງສູນກາງຂອງຜລຶກ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການບັນລຸການເຕີບໂຕໄວແລະຫນາແຫນ້ນ.
ການເຄືອບ TaC ເປັນການແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີຫຼັກສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ມີຄຸນະພາບສູງ SiC ຂະບວນການເຕີບໂຕໄປເຊຍກັນ. ພວກເຮົາໄດ້ສ້າງຄວາມສໍາເລັດໃນການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບ TaC ໂດຍການນໍາໃຊ້ vapor deposition (CVD), ຊຶ່ງໄດ້ບັນລຸລະດັບສາກົນ. TaC ມີຄຸນສົມບັດພິເສດ, ລວມທັງຈຸດ melting ສູງເຖິງ 3880 ° C, ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ດີເລີດ, ຄວາມແຂງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນ. ມັນຍັງສະແດງຄວາມ inertness ສານເຄມີທີ່ດີແລະສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນໃນເວລາທີ່ສໍາຜັດກັບອຸນຫະພູມສູງແລະສານເຊັ່ນ: ammonia, hydrogen, ແລະໄອນ້ໍາທີ່ມີຊິລິຄອນ.
ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ຂອງ VeTek Semiconductor ສະເຫນີການແກ້ໄຂເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂອບໃນ SiC Single Crystal Growth Process, ປັບປຸງຄຸນນະພາບແລະປະສິດທິພາບຂອງຂະບວນການເຕີບໂຕ. ດ້ວຍເທກໂນໂລຍີການເຄືອບ TaC ທີ່ກ້າວຫນ້າຂອງພວກເຮົາ, ພວກເຮົາມີຈຸດປະສົງເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນການພັດທະນາຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມແລະຫຼຸດຜ່ອນການເພິ່ງພາອາໄສວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ນໍາເຂົ້າ.
ວິທີການ PVT SiC ຊິ້ນສ່ວນອາໄຫຼ່ຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ:
TaC ເຄືອບ Crucible, ຜູ້ຖືແກ່ນທີ່ມີການເຄືອບ TaC, ວົງຄູ່ມືການເຄືອບ TaC ແມ່ນພາກສ່ວນທີ່ສໍາຄັນໃນເຕົາອົບໄປເຊຍກັນ SiC ແລະ AIN ໂດຍວິທີ PVT.
ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ:
- ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ
- ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຈະບໍ່ມົນລະພິດວັດຖຸດິບ SiC ແລະໄປເຊຍກັນ SiC ດຽວ.
- ທົນທານຕໍ່ Al steam ແລະ N₂ corrosion
- ອຸນຫະພູມ eutectic ສູງ (ມີ AlN) ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນວົງຈອນການກະກຽມໄປເຊຍກັນ.
-Recyclable (ເຖິງ 200h), ມັນປັບປຸງຄວາມຍືນຍົງແລະປະສິດທິພາບຂອງການກະກຽມຂອງໄປເຊຍກັນດຽວດັ່ງກ່າວ.
ລັກສະນະການເຄືອບ TaC
ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທົ່ວໄປຂອງການເຄືອບ Tac
| ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ TaC | |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 14.3 (g/cm³) |
| ການປ່ອຍອາຍພິດສະເພາະ | 0.3 |
| ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ | 6.3 10-6/K |
| ຄວາມແຂງ (HK) | 2000 HK |
| ການຕໍ່ຕ້ານ | 1×10-5 Ohm*ຊມ |
| ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ | <2500℃ |
| ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ Graphite | -10~20 ນ |
| ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ | ≥20um ຄ່າປົກກະຕິ (35um±10um) |
- View as
ແຫວນເຄືອບ Tantalum Carbide
ໃນຖານະເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງມືອາຊີບແລະຜູ້ນໍາຂອງຜະລິດຕະພັນແຫວນເຄືອບ Tantalum Carbide ໃນປະເທດຈີນ, VeTek semiconductor Tantalum Carbide Coated Ring ມີບົດບາດ irreplaceable ໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຜລຶກ SiC ດ້ວຍຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບການໃຫ້ຄໍາປຶກສາເພີ່ມເຕີມຂອງທ່ານ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
ວົງການເຄືອບ CVD TaC
ວົງແຫວນເຄືອບ CVD TaC ຂອງ VeTek Semiconductor ເປັນອົງປະກອບທີ່ມີປະໂຍດສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິຄອນ carbide (SiC). ວົງການເຄືອບ CVD TaC ສະຫນອງຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມ inertness ສານເຄມີ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີລັກສະນະອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບ corrosive. ພວກເຮົາມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບໃນລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນແລະຫວັງວ່າຈະເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໃນໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ. ໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
Porous Graphite ກັບ TaC ເຄືອບ
Porous Graphite ກັບ TaC Coated ແມ່ນອຸປະກອນການປຸງແຕ່ງ semiconductor ຂັ້ນສູງທີ່ສະຫນອງໂດຍ VeTek Semiconductor. Porous Graphite ກັບ TaC Coated ປະສົມປະສານຄວາມໄດ້ປຽບຂອງການເຄືອບ graphite porous ແລະ tantalum carbide (TaC), ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແລະການ permeability ອາຍແກັສ. VeTek Semiconductor ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບໃນລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ, ແລະພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
ທໍ່ເຄືອບ Tantalum Carbide ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ Crystal
VeTek Semiconductor ເປັນທໍ່ເຄືອບ Tantalum Carbide ຊັ້ນນໍາສໍາລັບຜູ້ຜະລິດ Crystal Growth ແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບເຊລາມິກສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໃນໄລຍະຍາວຂອງທ່ານ. ໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
ແຫວນຄູ່ມືການເຄືອບ TaC
VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ TaC Coated Guide Ring ຊັ້ນນໍາແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບເຊລາມິກສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. TaC Coated Guide Ring ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເພື່ອນໍາພາແລະຄວບຄຸມການໄຫຼວຽນຂອງອາກາດ, ເສີມຂະຫຍາຍຜົນຜະລິດຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກດຽວ. ຍິນດີຕ້ອນຮັບການສອບຖາມພວກເຮົາສໍາລັບຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
TaC Coated Graphite Wafer Carrier
VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ TaC Coated Graphite Wafer Carrier ຊັ້ນນໍາແລະເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ SiC ແລະ TaC ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. Our TaC coated graphite wafer carrier ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ອ່ານຕື່ມສົ່ງສອບຖາມ
ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ SiC Single Crystal Growth Process Spare Parts ມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາມີໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາເອງ. ບໍ່ວ່າທ່ານຕ້ອງການບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງພາກພື້ນຂອງທ່ານຫຼືຕ້ອງການຊື້ SiC Single Crystal Growth Process Spare Parts ທີ່ກ້າວຫນ້າແລະທົນທານທີ່ຜະລິດໃນປະເທດຈີນ, ທ່ານສາມາດຝາກຂໍ້ຄວາມໃຫ້ພວກເຮົາ.
