Crucible ສໍາລັບ Monocrystalline Silicon

Vetek Semiconductor Crucible ສໍາລັບ Monocrystalline Silicon ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນສໍາລັບການບັນລຸການເຕີບໂຕຂອງກ້ອນດຽວ, ເປັນພື້ນຖານຂອງການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor. crucibles ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນອອກແບບຢ່າງລະມັດລະວັງເພື່ອຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ຮັບປະກັນປະສິດທິພາບສູງສຸດແລະປະສິດທິພາບໃນທຸກຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ. ທີ່ Vetek Semiconductor, ພວກເຮົາອຸທິດຕົນເພື່ອການຜະລິດແລະການສະຫນອງ crucibles ປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນທີ່ປະສົມປະສານຄຸນນະພາບກັບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍປະສິດທິພາບ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ໃນວິທີການ CZ (Czochralski), ໄປເຊຍກັນດຽວແມ່ນຂະຫຍາຍຕົວໂດຍການນໍາເອົາເມັດ monocrystalline ເຂົ້າໄປໃນການຕິດຕໍ່ກັບຊິລິໂຄນ polycrystalline molten. ແກ່ນແມ່ນຄ່ອຍໆດຶງຂຶ້ນໃນຂະນະທີ່ຫມຸນຊ້າໆ. ໃນຂະບວນການນີ້, ຈໍານວນຊິ້ນສ່ວນ graphite ທີ່ສໍາຄັນແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນວິທີການທີ່ມີປະລິມານທີ່ສູງທີ່ສຸດຂອງອົງປະກອບ graphite ໃນການຜະລິດຊິລິຄອນ semiconductor.

ຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້ສະຫນອງການເປັນຕົວແທນ schematic ຂອງ furnace ການຜະລິດກ້ອນດຽວຊິລິຄອນໂດຍອີງໃສ່ວິທີການ CZ.

Crucible ຂອງ Vetek Semiconductor ສໍາລັບ Monocrystalline Silicon ສະຫນອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະຄວບຄຸມທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການສ້າງຕັ້ງທີ່ຊັດເຈນຂອງໄປເຊຍກັນ semiconductor. ພວກມັນເປັນເຄື່ອງມືໃນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ ingots ຊິລິໂຄນ monocrystalline ໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກຂັ້ນສູງເຊັ່ນຂະບວນການ Czochralski ແລະວິທີການ float-zone, ເຊິ່ງມີຄວາມສໍາຄັນໃນການຜະລິດວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງສໍາລັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ.

ວິສະວະກໍາສໍາລັບຄວາມຫມັ້ນຄົງດ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ, ການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ແລະການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍ, crucibles ເຫຼົ່ານີ້ຮັບປະກັນຄວາມທົນທານແລະຄວາມທົນທານ. ພວກມັນຖືກອອກແບບເພື່ອທົນຕໍ່ສະພາບແວດລ້ອມທາງເຄມີທີ່ຮຸນແຮງໂດຍບໍ່ມີການປະນີປະນອມຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງຫຼືການປະຕິບັດ, ດັ່ງນັ້ນການຍືດອາຍຸຂອງ crucible ແລະຮັກສາປະສິດທິພາບທີ່ສອດຄ່ອງໃນໄລຍະການນໍາໃຊ້ເປັນເວລາດົນນານ.

ອົງປະກອບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງ Vetek Semiconductor Crucibles ສໍາລັບຊິລິໂຄນ monocrystalline ຊ່ວຍໃຫ້ພວກເຂົາສາມາດທົນທານຕໍ່ສະພາບທີ່ຮຸນແຮງຂອງການປຸງແຕ່ງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ນີ້ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄວາມບໍລິສຸດ, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ອົງປະກອບດັ່ງກ່າວຍັງອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການໂອນຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດຕິຜົນ, ສົ່ງເສີມການໄປເຊຍກັນທີ່ເປັນເອກະພາບແລະຫຼຸດຜ່ອນການ gradients ຄວາມຮ້ອນພາຍໃນ silicon melt.

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງ SiC Coating Susceptor ຂອງພວກເຮົາ:

ການປົກປ້ອງວັດສະດຸພື້ນຖານ: ການເຄືອບ CVD SiC ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການ epitaxial, ປົກປ້ອງວັດສະດຸພື້ນຖານຢ່າງມີປະສິດທິພາບຈາກການເຊາະເຈື່ອນແລະຄວາມເສຍຫາຍທີ່ເກີດຈາກສະພາບແວດລ້ອມພາຍນອກ. ມາດຕະການປ້ອງກັນນີ້ຂະຫຍາຍຊີວິດການບໍລິການຂອງອຸປະກອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.

ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ: ການເຄືອບ CVD SiC ຂອງພວກເຮົາມີຄຸນສົມບັດການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ, ປະສິດທິພາບການໂອນຄວາມຮ້ອນຈາກວັດສະດຸພື້ນຖານໄປສູ່ພື້ນຜິວເຄືອບ. ນີ້ເສີມຂະຫຍາຍປະສິດທິພາບການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນໃນລະຫວ່າງການ epitaxy, ຮັບປະກັນອຸນຫະພູມປະຕິບັດງານທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບອຸປະກອນ.

ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ: ການເຄືອບ CVD SiC ສະຫນອງພື້ນຜິວທີ່ຮາບພຽງແລະເປັນເອກະພາບ, ສ້າງພື້ນຖານທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຮູບເງົາ. ມັນຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຂໍ້ບົກພ່ອງທີ່ເປັນຜົນມາຈາກການບໍ່ກົງກັນຂອງເສັ້ນດ່າງ, ປັບປຸງການເກີດຂອງ crystallinity ແລະຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ epitaxial, ແລະໃນທີ່ສຸດປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງມັນ.

ເລືອກຕົວຮອງ SiC Coating Susceptor ຂອງພວກເຮົາສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການການຜະລິດ wafer epitaxial ຂອງທ່ານແລະໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກການປົກປ້ອງທີ່ປັບປຸງ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ແລະການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງຮູບເງົາ. ໄວ້ໃຈໃນວິທີແກ້ໄຂນະວັດຕະກໍາຂອງ VeTek Semiconductor ເພື່ອຊຸກຍູ້ຄວາມສໍາເລັດຂອງທ່ານໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.