VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບຂອງ GaN ກ່ຽວກັບ SiC epi susceptor, ການເຄືອບ CVD SiC, ແລະ CVD TAC COATING graphite susceptor ໃນປະເທດຈີນ. ໃນບັນດາພວກເຂົາ, GaN ກ່ຽວກັບ SiC epi susceptor ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ໂດຍຜ່ານການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ຄວາມສາມາດໃນການປຸງແຕ່ງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ມັນຮັບປະກັນປະສິດທິພາບສູງແລະຄຸນນະພາບວັດສະດຸຂອງຂະບວນການການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial GaN. ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະໃຫ້ຄໍາປຶກສາເພີ່ມເຕີມຂອງທ່ານ.
ເປັນມືອາຊີບຜູ້ຜະລິດ semiconductorໃນປະເທດຈີນ,VeTek Semiconductor GaN ເທິງຕົວຮັບ SiC epiເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການກະກຽມຂອງGaN ໃນ SiCອຸປະກອນ, ແລະການປະຕິບັດຂອງມັນໂດຍກົງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງຊັ້ນ epitaxial. ດ້ວຍການນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງຂອງ GaN ໃນອຸປະກອນ SiC ໃນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ອຸປະກອນ RF ແລະພາກສະຫນາມອື່ນໆ, ຂໍ້ກໍານົດສໍາລັບການເຄື່ອງຮັບ SiC epiຈະສູງຂຶ້ນແລະສູງຂຶ້ນ. VeTek Semiconductor ສຸມໃສ່ການສະຫນອງເຕັກໂນໂລຢີສູງສຸດແລະການແກ້ໄຂຜະລິດຕະພັນສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ແລະຍິນດີຕ້ອນຮັບຄໍາປຶກສາຂອງທ່ານ.
ໂດຍທົ່ວໄປ, ພາລະບົດບາດຂອງGaN ເທິງຕົວຮັບ SiC epiໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor ມີດັ່ງນີ້:
ຄວາມສາມາດໃນການປຸງແຕ່ງອຸນຫະພູມສູງ: GaN on SiC epi susceptor (GaN ອີງໃສ່ silicon carbide epitaxial growth disk) ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນຂະບວນການເຕີບໂຕຂອງ gallium nitride (GaN) epitaxial, ໂດຍສະເພາະໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. ແຜ່ນການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ນີ້ສາມາດທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມການປຸງແຕ່ງທີ່ສູງທີ່ສຸດ, ໂດຍປົກກະຕິລະຫວ່າງ 1000 ° C ແລະ 1500 ° C, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ຂອງວັດສະດຸ GaN ແລະການປຸງແຕ່ງຂອງ substrates silicon carbide (SiC).
ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ: SiC epi susceptor ຕ້ອງມີການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເພື່ອຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດໂດຍແຫຼ່ງຄວາມຮ້ອນໃຫ້ເທົ່າທຽມກັນກັບຊັ້ນຍ່ອຍ SiC ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່. Silicon carbide ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ສຸດ (ປະມານ 120-150 W/mK), ແລະ GaN ກ່ຽວກັບ SiC epi susceptor ສາມາດນໍາຄວາມຮ້ອນໄດ້ປະສິດທິພາບຫຼາຍກ່ວາວັດສະດຸພື້ນເມືອງເຊັ່ນຊິລິຄອນ. ຄຸນນະສົມບັດນີ້ແມ່ນສໍາຄັນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ gallium nitride epitaxial ເນື່ອງຈາກວ່າມັນຊ່ວຍຮັກສາຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມຂອງ substrate, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງຄຸນນະພາບແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາ.
ປ້ອງກັນມົນລະພິດ: ວັດສະດຸແລະຂະບວນການຮັກສາພື້ນຜິວຂອງ GaN ກ່ຽວກັບ SiC epi susceptor ຈະຕ້ອງສາມາດປ້ອງກັນມົນລະພິດຂອງສະພາບແວດລ້ອມການຂະຫຍາຍຕົວແລະຫຼີກເວັ້ນການນໍາ impurities ເຂົ້າໄປໃນຊັ້ນ epitaxial.
ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບຂອງGaN ເທິງຕົວຮັບ SiC epi, Porous Graphiteແລະແຜ່ນເຄືອບ TaCໃນປະເທດຈີນ, VeTek Semiconductor ສະເຫມີຢືນຢັນການໃຫ້ບໍລິການຜະລິດຕະພັນທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ແລະມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະສະຫນອງອຸດສາຫະກໍາທີ່ມີເຕັກໂນໂລຢີຊັ້ນນໍາແລະການແກ້ໄຂຜະລິດຕະພັນ. ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈຕໍ່ກັບການປຶກສາຫາລື ແລະການຮ່ວມມືຂອງທ່ານ.
ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC:
GaN ຢູ່ໃນຮ້ານຜະລິດ ເຄື່ອງຮັບ SiC epi:
ພາບລວມຂອງລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາຊິບ semiconductor epitaxy: