> ຂ່າວ > ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

wafer substrate semiconductor: ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸຂອງ silicon, GaAs, SiC ແລະ GaN

ບົດຄວາມວິເຄາະຄຸນສົມບັດວັດສະດຸຂອງ wafers substrate semiconductor ເຊັ່ນ silicon, GaAs, SiC ແລະ GaN

ເທກໂນໂລຍີ epitaxy ອຸນຫະພູມຕໍ່າໂດຍອີງໃສ່ GaN

ບົດຄວາມນີ້ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອະທິບາຍເທກໂນໂລຍີ epitaxial ອຸນຫະພູມຕ່ໍາທີ່ອີງໃສ່ GaN, ລວມທັງໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນຂອງວັດສະດຸທີ່ອີງໃສ່ GaN, 3. ຄວາມຕ້ອງການດ້ານເທກໂນໂລຍີ epitaxial ແລະການແກ້ໄຂການປະຕິບັດ, ຄວາມໄດ້ປຽບຂອງເທກໂນໂລຍີ epitaxial ອຸນຫະພູມຕ່ໍາໂດຍອີງໃສ່ຫຼັກການ PVD, ແລະຄວາມສົດໃສດ້ານການພັດທະນາຂອງ. ເຕັກໂນໂລຍີ epitaxia......

ອ່ານຕື່ມ

ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ CVD TaC ແລະ sintered TaC ແມ່ນຫຍັງ?

<...3 4 5 6 7...10 >

ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

wafer substrate semiconductor: ຄຸນສົມບັດວັດສະດຸຂອງ silicon, GaAs, SiC ແລະ GaN

ເທກໂນໂລຍີ epitaxy ອຸນຫະພູມຕໍ່າໂດຍອີງໃສ່ GaN

ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ CVD TaC ແລະ sintered TaC ແມ່ນຫຍັງ?

ວິທີການກະກຽມການເຄືອບ CVD TaC?

ການເຄືອບ Tantalum Carbide ແມ່ນຫຍັງ?

ເປັນຫຍັງການເຄືອບ SiC ເປັນວັດສະດຸຫຼັກທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ SiC epitaxial?