SiC coated Wafer Holder

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບແລະຜູ້ນໍາຂອງຜະລິດຕະພັນຜູ້ຖື wafer ເຄືອບ SiC ໃນປະເທດຈີນ. SiC coated wafer holder ເປັນຜູ້ຖື wafer ສໍາລັບຂະບວນການ epitaxy ໃນການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ມັນເປັນອຸປະກອນ irreplaceable ທີ່ stabilize wafer ແລະຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍຕົວເປັນເອກະພາບຂອງຊັ້ນ epitaxial. ຍິນດີຕ້ອນຮັບການໃຫ້ຄໍາປຶກສາເພີ່ມເຕີມຂອງທ່ານ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຜູ້ຖື Wafer ເຄືອບ SiC ຂອງ VeTek Semiconductor ປົກກະຕິແລ້ວຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອແກ້ໄຂແລະສະຫນັບສະຫນູນ wafers ໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ມັນເປັນປະສິດທິພາບສູງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ waferຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດ semiconductor. ໂດຍການເຄືອບຊັ້ນຂອງຊິລິໂຄນຄາໄບ (SiC) ຢູ່ເທິງຫນ້າດິນຊັ້ນໃຕ້ດິນ, ຜະລິດຕະພັນປະສິດທິພາບສາມາດປ້ອງກັນ substrate ຈາກການ corrosion, ແລະປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂອງ wafer carrier, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງຂະບວນການປຸງແຕ່ງ.

SiC coated Wafer Holderປົກກະຕິແລ້ວຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອແກ້ໄຂແລະສະຫນັບສະຫນູນ wafers ໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງ semiconductor. ມັນເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ wafer ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດ semiconductor. ໂດຍການເຄືອບຊັ້ນຂອງຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC)ຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງ substrate, ຜະລິດຕະພັນສາມາດປ້ອງກັນ substrate ຈາກການກັດກ່ອນ, ແລະປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກຂອງ wafer carrier, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາຂອງຂະບວນການປຸງແຕ່ງ.

Silicon carbide (SiC) ມີຈຸດລະລາຍປະມານ 2,730 ອົງສາ C ແລະມີການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດປະມານ 120–180 W/m·K. ຄຸນສົມບັດນີ້ສາມາດ dissipate ຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາໃນຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ overheating ລະຫວ່າງ wafer ແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ. ດັ່ງນັ້ນ, SiC Coated Wafer Holder ປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ silicon carbide (SiC) graphite ເຄືອບເປັນ substrate ໄດ້.

ປະສົມປະສານກັບຄວາມແຂງຂອງ SiC (ຄວາມແຂງຂອງ Vickers ປະມານ 2,500 HV), ການເຄືອບ silicon carbide (SiC) ທີ່ຝາກໄວ້ໂດຍຂະບວນການ CVD ສາມາດເປັນສານເຄືອບປ້ອງກັນທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະແຂງແຮງ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປັບປຸງຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່ຂອງ SiC Coated Wafer Holder. .

ຜູ້ຖື Wafer ເຄືອບ SiC ຂອງ VeTek Semiconductor ແມ່ນເຮັດຈາກ graphite ເຄືອບ SiC ແລະເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຂະບວນການ epitaxy semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມ. ມັນປະສົມປະສານການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຂອງ graphite ຢ່າງສະຫລາດ (ການນໍາຄວາມຮ້ອນແມ່ນປະມານ 100-400 W / m·K ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ) ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ສານເຄມີທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນຂອງ silicon carbide (ຈຸດ melting ຂອງ SiC ປະມານ. 2,730°C), ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດຢ່າງສົມບູນຂອງສະພາບແວດລ້ອມການຜະລິດ semiconductor ລະດັບສູງຂອງມື້ນີ້.

ນີ້ຜູ້ຖືການອອກແບບ wafer ດຽວສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງຂະບວນການ epitaxialຕົວກໍານົດການ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. ການອອກແບບໂຄງສ້າງທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງມັນຮັບປະກັນວ່າ wafer ໄດ້ຖືກປະຕິບັດດ້ວຍການດູແລແລະຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ສຸດຕະຫຼອດຂະບວນການທັງຫມົດ, ດັ່ງນັ້ນການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ດີເລີດຂອງຊັ້ນ epitaxial ແລະປັບປຸງການປະຕິບັດຂອງຜະລິດຕະພັນ semiconductor ສຸດທ້າຍ.

ໃນຖານະເປັນການນໍາພາຂອງຈີນSiC ເຄືອບຜູ້ຜະລິດ Wafer Holder ແລະຜູ້ນໍາ, VeTek Semiconductor ສາມາດສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ກໍາຫນົດເອງແລະການບໍລິການດ້ານວິຊາການຕາມຄວາມຕ້ອງການອຸປະກອນແລະຂະບວນການຂອງທ່ານ.ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ຂໍ້ມູນ SEM ຂອງ CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE：

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC:

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC
ຊັບສິນ	ຄ່າປົກກະຕິ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	FCC βໄລຍະ polycrystalline, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/cm³
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500 (ໂຫຼດ 500g)
ເມັດ SiZe	2-10 ມມ
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	99.99995%
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	640 J·kg^-1· ຄ^-1
ອຸນຫະພູມ sublimation	2700℃
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	415 MPa RT 4 ຈຸດ
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	300W·m^-1· ຄ^-1
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5×10^-6K^-1