ຈີນ ການເຄືອບ Silicon Carbide ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະໜອງ, ໂຮງງານ

VeTek Semiconductor ຊ່ຽວຊານໃນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Silicon Carbide ບໍລິສຸດ ultra, ການເຄືອບເຫຼົ່ານີ້ຖືກອອກແບບມາເພື່ອນໍາໃຊ້ກັບ graphite ບໍລິສຸດ, ceramics, ແລະອົງປະກອບໂລຫະ refractory.

ການເຄືອບທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງພວກເຮົາແມ່ນເປົ້າຫມາຍຕົ້ນຕໍສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະເອເລັກໂຕຣນິກ. ພວກມັນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນສໍາລັບຜູ້ຂົນສົ່ງ wafer, susceptors, ແລະອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ, ປົກປ້ອງພວກເຂົາຈາກສະພາບແວດລ້ອມທີ່ກັດກ່ອນແລະປະຕິກິລິຍາທີ່ພົບໃນຂະບວນການເຊັ່ນ MOCVD ແລະ EPI. ຂະບວນການເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ການປຸງແຕ່ງ wafer ແລະການຜະລິດອຸປະກອນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການເຄືອບຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນ furnace ສູນຍາກາດແລະການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນຕົວຢ່າງ, ບ່ອນທີ່ສູນຍາກາດສູງ, reactive, ແລະອົກຊີເຈນທີ່ສະພາບແວດລ້ອມໄດ້ພົບ.

ທີ່ VeTek Semiconductor, ພວກເຮົາສະເຫນີການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບດ້ວຍຄວາມສາມາດຂອງຮ້ານເຄື່ອງທີ່ກ້າວຫນ້າຂອງພວກເຮົາ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາສາມາດຜະລິດອົງປະກອບພື້ນຖານໂດຍໃຊ້ graphite, ceramics, ຫຼືໂລຫະ refractory ແລະນໍາໃຊ້ SiC ຫຼື TaC ເຄືອບເຊລາມິກໃນເຮືອນ. ພວກເຮົາຍັງໃຫ້ບໍລິການເຄືອບສໍາລັບພາກສ່ວນທີ່ລູກຄ້າສະຫນອງ, ຮັບປະກັນຄວາມຍືດຫຍຸ່ນເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ຫຼາກຫຼາຍ.

ຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ Silicon Carbide ຂອງພວກເຮົາຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ Si epitaxy, SiC epitaxy, ລະບົບ MOCVD, ຂະບວນການ RTP / RTA, ຂະບວນການ etching, ICP / PSS etching, ຂະບວນການຂອງປະເພດ LED ຕ່າງໆ, ລວມທັງ LED ສີຟ້າແລະສີຂຽວ, UV LED ແລະ deep-UV. LED ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງປັບຕົວເຂົ້າກັບອຸປະກອນຈາກ LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI ແລະອື່ນໆ.

ພາກສ່ວນເຄື່ອງປະຕິກອນພວກເຮົາສາມາດເຮັດໄດ້:

ການເຄືອບ Silicon Carbide ມີຂໍ້ດີທີ່ເປັນເອກະລັກຫຼາຍ:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

ຕົວກໍານົດການເຄືອບ Silicon Carbide VeTek Semiconductor:

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC
ຊັບສິນ	ຄ່າປົກກະຕິ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	FCC βໄລຍະ polycrystalline, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/cm³
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500 (ໂຫຼດ 500g)
ເມັດ SiZe	2-10 ມມ
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	99.99995%
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	640 J·kg-1·K-1
ອຸນຫະພູມ sublimation	2700℃
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	415 MPa RT 4 ຈຸດ
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	300W·m-1·K-1
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

View as

ວົງແຫວນກ່ອນຄວາມຮ້ອນ

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງຂອງຜູ້ຜະລິດເຄືອບ SiC ໃນປະເທດຈີນ.Pre-Heat Ring ສະຫນອງໃຫ້ໂດຍ VeTek Semiconductor ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບຂະບວນການ Epitaxy. ການເຄືອບ silicon carbide ເອກະພາບແລະອຸປະກອນການ graphite ຊັ້ນສູງເປັນວັດຖຸດິບຮັບປະກັນການຝາກຄວາມສອດຄ່ອງແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຊັ້ນ epitaxial. ພວກເຮົາກໍາລັງຊອກຫາຕໍ່ກັບການສ້າງຕັ້ງການຮ່ວມມືໃນໄລຍະຍາວກັບທ່ານ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

Wafer Lift Pin

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ EPI Wafer Lift Pin ຊັ້ນນໍາແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ SiC ຢູ່ເທິງຫນ້າຂອງ graphite ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ພວກເຮົາສະເຫນີ EPI Wafer Lift Pin ສໍາລັບຂະບວນການ Epi. ມີຄຸນນະພາບສູງແລະລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ, ພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາໃນປະເທດຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

SiC Coated Barrel Susceptor

VeTek Semiconductor ສະເຫນີຊຸດໂຊລູຊັ່ນອົງປະກອບທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບຫ້ອງຕິກິຣິຍາ LPE silicon epitaxy, ສົ່ງຊີວິດທີ່ຍາວນານ, ຄຸນນະພາບທີ່ຫມັ້ນຄົງ, ແລະການປັບປຸງຜົນຜະລິດຂອງຊັ້ນ epitaxial. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາເຊັ່ນ SiC Coated Barrel Susceptor ໄດ້ຮັບຕໍາແໜ່ງຕໍາແໜ່ງຈາກລູກຄ້າ. ພວກເຮົາຍັງສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການສໍາລັບ Si Epi, SiC Epi, MOCVD, UV-LED Epitaxy, ແລະອື່ນໆ. ສົນໃຈສອບຖາມຂໍ້ມູນລາຄາໄດ້.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

ຖ້າ EPI ຮັບ

VeTek Semiconductor ແມ່ນໂຮງງານຜະລິດທີ່ປະສົມປະສານຄວາມສາມາດຂອງເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະ semiconductor SiC ແລະ TaC. ຖັງປະເພດ Si Epi Susceptor ສະຫນອງຄວາມສາມາດໃນການຄວບຄຸມອຸນຫະພູມແລະບັນຍາກາດ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບການຜະລິດໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ semiconductor epitaxial. ຫວັງວ່າຈະສ້າງຕັ້ງການພົວພັນຮ່ວມມືກັບທ່ານ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

SiC Coated Epi Receptor

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາຂອງ silicon carbide ແລະ tantalum carbide coatings, VeTek Semiconductor ສາມາດສະຫນອງເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາແລະການເຄືອບເອກະພາບຂອງ SiC Coated Epi Susceptor, ປະສິດທິຜົນການຄວບຄຸມຄວາມບໍລິສຸດຂອງການເຄືອບແລະຜະລິດຕະພັນຕ່ໍາກວ່າ 5ppm. ຊີວິດຂອງຜະລິດຕະພັນແມ່ນປຽບທຽບກັບ SGL. ຍິນດີຕ້ອນຮັບສອບຖາມພວກເຮົາ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

ຊຸດຕົວຮັບ LPE SI EPI

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ LPE Si Epi Susceptor Set ຊັ້ນນໍາແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນປະເທດຈີນ. ພວກເຮົາມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ SiC ແລະເຄືອບ TaC ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ພວກເຮົາສະເຫນີ LPE Si Epi Susceptor Set ອອກແບບສະເພາະສໍາລັບ LPE PE2061S 4 '' wafers. ລະດັບການຈັບຄູ່ຂອງວັດສະດຸ graphite ແລະການເຄືອບ SiC ແມ່ນດີ, ຄວາມເປັນເອກະພາບແມ່ນດີເລີດ, ແລະຊີວິດແມ່ນຍາວນານ, ເຊິ່ງສາມາດປັບປຸງຜົນຜະລິດຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ epitaxial ໃນໄລຍະຂະບວນການ LPE (Liquid Phase Epitaxy) ຂອງພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາໃນ ຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

<...10 11 12 13 14...16 >

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ ການເຄືອບ Silicon Carbide ມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາມີໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາເອງ. ບໍ່ວ່າທ່ານຕ້ອງການບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງພາກພື້ນຂອງທ່ານຫຼືຕ້ອງການຊື້ ການເຄືອບ Silicon Carbide ທີ່ກ້າວຫນ້າແລະທົນທານທີ່ຜະລິດໃນປະເທດຈີນ, ທ່ານສາມາດຝາກຂໍ້ຄວາມໃຫ້ພວກເຮົາ.