TaC Coated Graphite Wafer Carrier

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ TaC Coated Graphite Wafer Carrier ຊັ້ນນໍາແລະເປັນຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ SiC ແລະ TaC ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. Our TaC coated graphite wafer carrier ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍມາເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ທ່ານສາມາດຫມັ້ນໃຈໄດ້ໃນການຊື້ TaC Coated Graphite Wafer Carrier ຈາກ VeTek Semiconductor. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະຮ່ວມມືກັບທ່ານ, ຖ້າທ່ານຕ້ອງການຮູ້ເພີ່ມເຕີມ, ທ່ານສາມາດປຶກສາກັບພວກເຮົາໃນປັດຈຸບັນ, ພວກເຮົາຈະຕອບທ່ານໃຫ້ທັນເວລາ!

VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier ພົວພັນໂດຍກົງກັບ wafers ໃນເຕົາປະຕິກອນ epitaxy, ເພີ່ມປະສິດທິພາບແລະປະສິດທິພາບ. ດ້ວຍທາງເລືອກຂອງ silicon carbide ຫຼື tantalum carbide coating, VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier ສະຫນອງການຍືດອາຍຸ, ຍາວເຖິງ 2-3 ເທົ່າດ້ວຍ tantalum carbide. ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບຮູບແບບເຄື່ອງຈັກຕ່າງໆ, ລວມທັງເຕົາເຜົາ LPE SiC epitaxy, JSG, NASO epitaxial furnaces.

VeTek Semiconductor TaC-coated graphite carrier ຮັບປະກັນ stoichiometry ປະຕິກິລິຍາທີ່ຊັດເຈນ, ປ້ອງກັນການເຄື່ອນຍ້າຍຂອງ impurity, ແລະຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມເກີນ 2000 ° C. ມັນສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານທີ່ໂດດເດັ່ນຕໍ່ H2, NH3, SiH4, ແລະ Si, ປົກປ້ອງສະພາບແວດລ້ອມທາງເຄມີທີ່ຮຸນແຮງ. ທົນທານຕໍ່ແຮງສັ່ນສະເທືອນຄວາມຮ້ອນ, ມັນເຮັດໃຫ້ວົງຈອນການດໍາເນີນງານໄວໂດຍບໍ່ມີການ delamination ເຄືອບ.

ການເຄືອບ VeTek Semiconductor TaC ຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ກໍາຈັດສິ່ງສົກກະປົກ, ແລະຮັບປະກັນການປະຕິບັດຕາມຄວາມທົນທານຂອງມິຕິທີ່ເຂັ້ມງວດ. ດ້ວຍຄວາມສາມາດປະມວນຜົນກາຟໄລແບບພິເສດຂອງ VeTek Semiconductor, ພວກເຮົາມີຄວາມພ້ອມເພື່ອຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການການປັບແຕ່ງຂອງທ່ານ. ບໍ່ວ່າທ່ານຕ້ອງການບໍລິການເຄືອບສີຫຼືການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ, ທີມງານວິສະວະກອນຜູ້ຊ່ຽວຊານຂອງພວກເຮົາພ້ອມທີ່ຈະອອກແບບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງທ່ານ. ໄວ້ໃຈໃຫ້ພວກເຮົາຈັດສົ່ງຜະລິດຕະພັນຄຸນນະພາບສູງທີ່ສອດຄ່ອງກັບຄວາມຕ້ອງການແລະຄວາມຄາດຫວັງຂອງທ່ານ.

ວິທີການ PVT SiC Crystal Growth

ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນຂອງ TaC Coated Graphite Wafer Carrier

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ TaC
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	14.3 (g/cm³)
ການປ່ອຍອາຍພິດສະເພາະ	0.3
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	6.3 10-6/K
ຄວາມແຂງ (HK)	2000 HK
ການຕໍ່ຕ້ານ	1×10-5 Ohm*ຊມ
ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ	<2500℃
ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ Graphite	-10~20 ນ
ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ	≥20um ຄ່າປົກກະຕິ (35um±10um)