Tantalum Carbide TaC ເຄືອບ Halfmoon

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງຊັ້ນນໍາໃນປະເທດຈີນສໍາລັບ Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon, ພວກເຮົາມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນ R & D ແລະການຜະລິດ, ສາມາດຄວບຄຸມຄຸນນະພາບໄດ້ດີແລະສະເຫນີລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ. ທ່ານຍິນດີຕ້ອນຮັບຈະໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຂອງພວກເຮົາສໍາລັບການສົນທະນາຕື່ມອີກກ່ຽວກັບການຮ່ວມມືໃນໄລຍະຍາວ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

VeTek Semiconductor ເປັນມືອາຊີບ China Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon ຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ. VeTek Semiconductor ສະເຫນີ Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon, ເຊິ່ງມີບົດບາດສະຫນັບສະຫນູນແລະການຂົນສົ່ງໃນຂະບວນການ epitaxial ຂອງ silicon carbide, ມັນບໍ່ພຽງແຕ່ສະຫນັບສະຫນູນ substrate, ແຕ່ຍັງໃຫ້ພື້ນຖານຮາບພຽງ, ອະນຸຍາດໃຫ້ epitaxy ຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງເປັນເອກະພາບກ່ຽວກັບມັນ.

ຄຸນນະພາບແລະການປະຕິບັດຂອງພາກສ່ວນ halfmoon ໂດຍກົງຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນນະພາບແລະການປະຕິບັດຂອງ wafer ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການ epitaxial silicon carbide. ດັ່ງນັ້ນ, ການອອກແບບແລະເລືອກສ່ວນ halfmoon ທີ່ເຫມາະສົມແມ່ນສໍາຄັນສໍາລັບຄວາມສໍາເລັດຂອງຂະບວນການ SiC epitaxial. Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon ທີ່ຜະລິດໂດຍ VeTek Semiconductor ສາມາດເພີ່ມຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຕ້ານທານ corrosion, ແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່, ປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຊີວິດຂອງອົງປະກອບເຄິ່ງດວງຈັນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່.

ພາລາມິເຕີຂອງການເຄືອບ Tantalum Carbide:

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງການເຄືອບ TaC
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	14.3 (g/cm³)
ການປ່ອຍອາຍພິດສະເພາະ	0.3
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	6.3 10-6/K
ຄວາມແຂງ (HK)	2000 HK
ການຕໍ່ຕ້ານ	1×10-5 Ohm*ຊມ
ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ	<2500℃
ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດຂອງ Graphite	-10~20 ນ
ຄວາມຫນາຂອງເຄືອບ	≥20um ຄ່າປົກກະຕິ (35um±10um)