ຈີນ ຂະບວນການ SiC Epitaxy ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະໜອງ, ໂຮງງານ

ການເຄືອບ carbide ເປັນເອກະລັກຂອງ VeTek Semiconductor ສະຫນອງການປົກປ້ອງທີ່ເຫນືອກວ່າສໍາລັບພາກສ່ວນ graphite ໃນຂະບວນການ SiC Epitaxy ສໍາລັບການປຸງແຕ່ງຂອງຄວາມຕ້ອງການ semiconductor ແລະວັດສະດຸ semiconductor ປະສົມ. ຜົນໄດ້ຮັບແມ່ນການຂະຫຍາຍຊີວິດຂອງອົງປະກອບ graphite, ການຮັກສາປະຕິກິລິຢາ stoichiometry, inhibition ຂອງການເຄື່ອນຍ້າຍ impurity ກັບ epitaxy ແລະການນໍາໃຊ້ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ເຮັດໃຫ້ຜົນຜະລິດເພີ່ມຂຶ້ນແລະຄຸນນະພາບ.

ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ຂອງພວກເຮົາປົກປ້ອງເຕົາເຜົາທີ່ສໍາຄັນແລະອົງປະກອບຂອງເຕົາປະຕິກອນໃນອຸນຫະພູມສູງ (ເຖິງ 2200 ° C) ຈາກແອມໂມເນຍຮ້ອນ, hydrogen, vapors ຊິລິຄອນແລະໂລຫະ molten. VeTek Semiconductor ມີຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງການປຸງແຕ່ງ graphite ແລະຄວາມສາມາດໃນການວັດແທກເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງທ່ານ, ດັ່ງນັ້ນພວກເຮົາສາມາດສະເຫນີການເຄືອບທີ່ຈ່າຍຄ່າທໍານຽມຫຼືການບໍລິການຢ່າງເຕັມທີ່, ດ້ວຍທີມງານວິສະວະກອນຜູ້ຊ່ຽວຊານຂອງພວກເຮົາພ້ອມທີ່ຈະອອກແບບການແກ້ໄຂທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບທ່ານແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະເພາະຂອງທ່ານ. .

ໄປເຊຍກັນ semiconductor ປະສົມ

VeTek Semiconductor ສາມາດສະຫນອງການເຄືອບ TaC ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ. ໂດຍຜ່ານຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ VeTek Semiconductor, ການເຄືອບ TaC ສາມາດໄດ້ຮັບຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງ crystal TaC / GaN) ແລະຊັ້ນ EPl, ແລະຍືດອາຍຸຊີວິດຂອງອົງປະກອບຂອງເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ.

insulators ຄວາມຮ້ອນ

SiC, GaN ແລະ AlN ອົງປະກອບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນລວມທັງ crucibles, ຜູ້ຖືແກ່ນ, deflectors ແລະການກັ່ນຕອງ. ໂຮງງານປະກອບອຸດສາຫະກໍາລວມທັງອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນຕໍ່ຕ້ານ, nozzles, ວົງປ້ອງກັນແລະ brazing fixtures, GaN ແລະ SiC epitaxial CVD ອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນລວມທັງບັນທຸກ wafer, trays ດາວທຽມ, ຫົວອາບນ້ໍາ, ຫມວກແລະ pedestals, ອົງປະກອບ MOCVD.

ຈຸດປະສົງ:

ໄຟ LED (ໄດໂອດປ່ອຍແສງ) Wafer Carrier

ALD(Semiconductor) ຮັບ

EPI Receptor (SiC Epitaxy Process)

TaC coated Satellite Susceptor TaC Coating Susceptor&Ring ຊິ້ນສ່ວນການເຄືອບ TaC Halfmoon Parts ທີ່ມີການເຄືອບ TaC

ການປຽບທຽບການເຄືອບ SiC ແລະການເຄືອບ TaC:

	SiC	ທາຄ
ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ	ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຕ້ານທານ plasma ທີ່ດີເລີດ	ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ (ຄວາມສອດຄ່ອງຂະບວນການອຸນຫະພູມສູງ)
ຄວາມບໍລິສຸດ	> 99.9999%	> 99.9999%
ຄວາມໜາແໜ້ນ (g/cm 3)	3.21	15
ຄວາມແຂງ (kg/mm 2)	2900-3300	6.7-7.2
ຄວາມຕ້ານທານ [Ωcm]	0.1-15,000	<1
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (W/m-K)	200-360	22
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (10-6/℃)	4.5-5	6.3
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ	ອຸປະກອນ semiconductor jig ເຊລາມິກ (ວົງໂຟກັສ, ຫົວອາບນ້ໍາ, Dummy Wafer)	SiC ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ, Epi, UV LED ພາກສ່ວນອຸປະກອນ

View as

ສ່ວນ Halfmoon ເຄືອບ Tantalum Carbide ສໍາລັບ LPE

VeTek Semiconductor ເປັນຂະຫນາດໃຫຍ່ Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part ສໍາລັບຜູ້ຜະລິດ LPE ແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນປະເທດຈີນ. ພວກເຮົາມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບ TaC ສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາສາມາດທົນກັບອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 2000 ອົງສາເຊນຊຽດ, ຍືດອາຍຸການບໍລິໂພກ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າ ເພື່ອກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມມືໃນໄລຍະຍາວຂອງຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

ແຜ່ນການຫມູນວຽນຂອງດາວເຄາະເຄືອບ Tantalum Carbide

VeTek Semiconductor ເປັນຜູ້ຜະລິດ Tantalum Carbide Coated Planetary Rotation Disk ຊັ້ນນໍາແລະຜູ້ປະດິດສ້າງໃນ China.We ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນການເຄືອບເຊລາມິກສໍາລັບເວລາຫຼາຍປີ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ. ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະກາຍເປັນຄູ່ຮ່ວມງານໃນໄລຍະຍາວຂອງທ່ານໃນ ຈີນ.

ອ່ານຕື່ມ ສົ່ງສອບຖາມ

<...3 4 5 6 7 >

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ ຂະບວນການ SiC Epitaxy ມືອາຊີບໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາມີໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາເອງ. ບໍ່ວ່າທ່ານຕ້ອງການບໍລິການທີ່ກໍາຫນົດເອງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງພາກພື້ນຂອງທ່ານຫຼືຕ້ອງການຊື້ ຂະບວນການ SiC Epitaxy ທີ່ກ້າວຫນ້າແລະທົນທານທີ່ຜະລິດໃນປະເທດຈີນ, ທ່ານສາມາດຝາກຂໍ້ຄວາມໃຫ້ພວກເຮົາ.