CVD SiC Pancake Susceptor

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບທີ່ເໜືອກວ່າ

VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor ຖືກຜະລິດໂດຍໃຊ້ເທກໂນໂລຍີການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD) ຫລ້າສຸດເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມທົນທານທີ່ດີເລີດແລະການປັບອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຕົ້ນຕໍຂອງມັນ:

● ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນ: ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນສູງຂອງ CVD SiC ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂອຸນຫະພູມສູງ.

● ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ: ວັດສະດຸມີຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ຕໍ່າທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການ warping ແລະ deformation ທີ່ເກີດຈາກການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມ.

● ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ເຄມີ: ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ດີເລີດເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດຮັກສາປະສິດທິພາບສູງໃນຫຼາຍໆສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຮຸນແຮງ.

ສະຫນັບສະຫນູນທີ່ຊັດເຈນແລະການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີທີ່ສຸດ

VeTekSemi's Pancake Susceptor based SiC coated ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຮອງຮັບ wafers semiconductor ແລະສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນທີ່ດີເລີດໃນລະຫວ່າງການ deposition epitaxial. SiC Pancake Susceptor ໄດ້ຖືກອອກແບບໂດຍໃຊ້ເທກໂນໂລຍີການຈໍາລອງການຄິດໄລ່ແບບພິເສດເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການ warping ແລະ deformation ພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂອຸນຫະພູມແລະຄວາມກົດດັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນປົກກະຕິຂອງມັນແມ່ນປະມານ 4.0 × 10^^-6/°C, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງດ້ານມິຕິຂອງມັນແມ່ນດີກ່ວາວັດສະດຸແບບດັ້ງເດີມຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ດັ່ງນັ້ນການຮັບປະກັນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ wafer (ປົກກະຕິ 200 ມມຫາ 300 ມມ).

ນອກຈາກນັ້ນ, CVD Pancake Susceptor ຍັງດີເລີດໃນການໂອນຄວາມຮ້ອນ, ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນເຖິງ 120 W/m·K. ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງນີ້ສາມາດເຮັດຄວາມຮ້ອນໄດ້ໄວແລະມີປະສິດທິພາບ, ປັບປຸງຄວາມສອດຄ່ອງຂອງອຸນຫະພູມພາຍໃນເຕົາໄຟ, ຮັບປະກັນການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບໃນລະຫວ່າງການຝາກຂອງ epitaxial, ແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຜິດປົກກະຕິຂອງເງິນຝາກທີ່ເກີດຈາກຄວາມຮ້ອນທີ່ບໍ່ສະເຫມີກັນ. ປະສິດທິພາບການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີທີ່ສຸດແມ່ນສໍາຄັນຕໍ່ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງເງິນຝາກ, ເຊິ່ງປະສິດທິພາບສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການເຫນັງຕີງຂອງຂະບວນການແລະປັບປຸງຜົນຜະລິດ.

ໂດຍຜ່ານການອອກແບບແລະການເພີ່ມປະສິດທິພາບເຫຼົ່ານີ້, CVD SiC Pancake Susceptor ຂອງ VeTek Semiconductor ສະຫນອງພື້ນຖານທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor, ຮັບປະກັນຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືແລະຄວາມສອດຄ່ອງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການປຸງແຕ່ງທີ່ຮຸນແຮງແລະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຂັ້ມງວດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ທີ່ທັນສະໄຫມສໍາລັບຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄຸນນະພາບສູງ.

CVD SIC FILM CRYSTAL ໂຄງສ້າງ

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC

ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງການເຄືອບ CVD SiC
ຊັບສິນ	ຄ່າປົກກະຕິ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	FCC βໄລຍະ polycrystalline, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/cm³
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500 (ໂຫຼດ 500g)
ເມັດ SiZe	2-10 ມມ
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	99.99995%
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	640 J·kg-1· ຄ-1
ອຸນຫະພູມ sublimation	2700℃
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	415 MPa RT 4 ຈຸດ
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	300W·m-1· ຄ-1
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5×10-6K-1